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MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.1V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Altri nomi
    MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR-ND
    MT53B512M64D4NJ-062WT:BTR
  • temperatura di esercizio
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    32Gb (512M x 64)
  • Interfaccia di memoria
    -
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
  • Frequenza dell'orologio
    1600MHz

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Descrizione: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

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Descrizione: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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