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MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.1V
  • Tecnologia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Serie
    -
  • Altri nomi
    MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E-ND
    MT53D1G64D8NZ-046WTES:E
  • temperatura di esercizio
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    64Gb (1G x 64)
  • Interfaccia di memoria
    -
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo
    Lead free
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 64Gb (1G x 64) 2133MHz
  • Frequenza dell'orologio
    2133MHz

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Descrizione: LPDDR4 32G 1GX32 FBGA QDP

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR

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Descrizione: IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
In magazzino
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Descrizione: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 64G 1866MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 64G 2133MHZ

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA

Produttori: Micron Technology
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Produttori: Micron Technology
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Descrizione: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Produttori: Micron Technology
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Descrizione: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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Descrizione: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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Descrizione: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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Descrizione: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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