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4939105Immagine NAND01GW3B2CN6E.Micron Technology

NAND01GW3B2CN6E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    NAND01GW3B2CN6E
  • Costruttore / Marca
    Micron Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    NAND01GW3B2CN6E.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    25ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NAND
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-TSOP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Gb (128M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP
  • Numero di parte base
    NAND01G-A
  • Tempo di accesso
    25ns

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