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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5419E3
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Italia
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4785632Immagine 1N5419E3.Microsemi Corporation

1N5419E3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5419E3
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1N5419E3.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    3A
  • Tensione - Ripartizione
    -
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    B, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    250ns
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    1N5419E3
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 500V 3A Through Hole
  • Configurazione diodo
    1µA @ 500V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.5V @ 9A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    500V
  • Capacità a Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Spedizione
Pagamento
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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

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