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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N5554US
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3866103Immagine 1N5554US.Microsemi

1N5554US

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5554US
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1N5554US.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.2V @ 9A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1000V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    B, SQ-MELF
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    2µs
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, B
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 1000V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 1000V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    -

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE

Produttori: Microsemi
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