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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N2219AE4
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2N2219AE4

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N2219AE4
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    2N2219AE4.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-39 (TO-205AD)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    800mW
  • Contenitore / involucro
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    800mA

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