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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > 2N2609
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2N2609

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N2609
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    JFETS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    2N2609.pdf
  • Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id
    750mV @ 1A
  • Tensione - Breakdown (V (BR) GSS)
    30V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-18 (TO-206AA)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    300mW
  • Contenitore / involucro
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Altri nomi
    2N2609MS
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    10pF @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Descrizione dettagliata
    JFET P-Channel 30V 10mA 300mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
  • Scolo corrente (Id) - Max
    10mA
  • Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)
    2mA @ 5V

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