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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N2896
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Italia
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2N2896

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N2896
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    BJTS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    90V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    600mV @ 15mA, 150mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-18
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.8W
  • Contenitore / involucro
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Altri nomi
    2N2896MS
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Frequenza - transizione
    120MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 90V 1A 120MHz 1.8W Through Hole TO-18
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    60 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A

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