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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici > 2N2919L
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Italia
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6080597

2N2919L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N2919L
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 100µA, 1mA
  • Tipo transistor
    2 NPN (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-78-6
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    350mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-78-6 Metal Can
  • Altri nomi
    1086-20764
    1086-20764-MIL
  • temperatura di esercizio
    200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    150 @ 1mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    30mA

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Pagamento
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Descrizione: TRANS 2NPN 60V 0.03A

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

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Descrizione: TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

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