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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3439L
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4096363Immagine 2N3439L.Microsemi

2N3439L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N3439L
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 350V 1A TO-5
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N3439L.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    350V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 4mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-5
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    800mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-5
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    40 @ 20mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    2µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A

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