2N4449UB

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Specifiche

Modello di prodotti

2N4449UB
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

NPN TRANSISTOR
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

2N4449UB.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

450mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor

NPN
Contenitore dispositivo fornitore

UB
Serie

Military, MIL-PRF-19500/317
Potenza - Max

360mW
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

-
temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione

-
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 360mW Surface Mount UB
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max)

400nA

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "2N4449UB".

2N4416A

Descrizione: JFET N-CH 35V 0.3W TO-72

Produttori: Central Semiconductor

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