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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2N6800U
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2N6800U

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N6800U
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 400V 18LCC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N6800U.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    18-ULCC (9.14x7.49)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1 Ohm @ 2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    800mW (Ta), 25W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    18-CLCC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.75nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    400V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

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