APT17F80B

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Specifiche

Modello di prodotti

APT17F80B
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

1.APT17F80B.pdf
2.APT17F80B.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247 [B]
Serie

POWER MOS 8™
Rds On (max) a Id, Vgs

580 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

500W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3757pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 18A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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APT17F100S

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK

Produttori: Microsemi

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