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557029Immagine APT20M11JVR.Microsemi

APT20M11JVR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT20M11JVR
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APT20M11JVR.pdf
    2.APT20M11JVR.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    ISOTOP®
  • Serie
    POWER MOS V®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    11 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    700W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    21600pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 175A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    175A (Tc)

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