Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT6017LFLLG
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
2404087Immagine APT6017LFLLG.Microsemi

APT6017LFLLG

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$23.35
10+
$21.231
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT6017LFLLG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APT6017LFLLG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-264 [L]
  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    170 mOhm @ 17.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    500W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "APT6017LFLLG".
APT60D100SG

APT60D100SG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT5F100K

APT5F100K

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT5SM170S

APT5SM170S

Descrizione: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT6040BN

APT6040BN

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60D20BG

APT60D20BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT60D120SG

APT60D120SG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A D3

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT58M50JU2

APT58M50JU2

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60D120BG

APT60D120BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT6030BN

APT6030BN

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT6013JLL

APT6013JLL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT5SM170B

APT5SM170B

Descrizione: MOSFET N-CH 700V TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT58M80J

APT58M80J

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT60D100BG

APT60D100BG

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT6010B2LLG

APT6010B2LLG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT6040BNG

APT6040BNG

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APT58M50JU3

APT58M50JU3

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.