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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT85GR120B2
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5259205Immagine APT85GR120B2.Microsemi

APT85GR120B2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APT85GR120B2
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 170A 962W TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Condizione di test
    600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    43ns/300ns
  • di scambio energetico
    6mJ (on), 3.8mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    T-MAX™
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    962W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • carica gate
    660nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX™
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    340A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    170A
APT80SM120S

APT80SM120S

Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT85GR120L

APT85GR120L

Descrizione: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT85GR120J

APT85GR120J

Descrizione: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Descrizione: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT80SM120J

APT80SM120J

Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT80GP60J

APT80GP60J

Descrizione: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Descrizione: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT84M50L

APT84M50L

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT84F50L

APT84F50L

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Descrizione: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT80SM120B

APT80SM120B

Descrizione: POWER MOSFET - SIC

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT8M80K

APT8M80K

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Descrizione: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT84M50B2

APT84M50B2

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Descrizione: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT80M60J

APT80M60J

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT8M100B

APT8M100B

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Produttori: Microsemi
In magazzino
APT84F50B2

APT84F50B2

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Produttori: Microsemi
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