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5919345Immagine APTC90DAM60T1G.Microsemi

APTC90DAM60T1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTC90DAM60T1G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 900V 59A SP1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTC90DAM60T1G.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 6mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP1
  • Serie
    CoolMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    60 mOhm @ 52A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    462W (Tc)
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    SP1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    13600pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    540nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Super Junction
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    900V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 900V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    59A (Tc)

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Descrizione: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

Produttori: APEM Inc.
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