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1305584Immagine APTGF150A120T3WG.Microsemi

APTGF150A120T3WG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTGF150A120T3WG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTGF150A120T3WG.pdf
    2.APTGF150A120T3WG.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.7V @ 15V, 150A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    961W
  • Contenitore / involucro
    SP3
  • temperatura di esercizio
    -
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    9.3nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 210A 961W Chassis Mount SP3
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    250µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    210A
  • Configurazione
    Half Bridge

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