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APTGLQ100A120TG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTGLQ100A120TG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER MODULE - IGBT
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTGLQ100A120TG.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.42V @ 15V, 100A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP4
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    520W
  • Contenitore / involucro
    Module
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    6.15nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 170A 520W Chassis Mount SP4
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    50µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    170A
  • Configurazione
    Half Bridge

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Pagamento
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

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Descrizione: MOD IGBT 1200V 110A SP3

Produttori: Microsemi
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APTGLQ100DA120T1G

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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
In magazzino
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APTGL90DSK120T3G

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Descrizione: MOD IGBT 1200V 110A SP3

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOD IGBT 1200V 110A SP3

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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

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Descrizione: PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP6

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Descrizione: PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1

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Descrizione: PWR MOD IGBT4 1200V 185A SP3

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOD IGBT 1200V 110A SP1

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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
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Descrizione: MOD IGBT 1200V 110A SP3

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Descrizione: IGBT 1200V 910A 3000W D4

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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MODULE - IGBT

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