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APTGT35DA120D1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTGT35DA120D1G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 1200V 55A 205W D1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTGT35DA120D1G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    1200V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    2.1V @ 15V, 35A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D1
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    205W
  • Contenitore / involucro
    D1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistore NTC
    No
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    2.5nF @ 25V
  • Ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    5mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    55A
  • Configurazione
    Single

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Spedizione
Pagamento
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Descrizione: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT 1200V 55A 205W D1

Produttori: Microsemi
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Descrizione: POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

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