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3775821Immagine APTGT50H60RT3G.Microsemi

APTGT50H60RT3G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTGT50H60RT3G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTGT50H60RT3G.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    176W
  • Contenitore / involucro
    SP3
  • temperatura di esercizio
    -
  • Termistore NTC
    Yes
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Cies) @ Vce
    3.15nF @ 25V
  • Ingresso
    Single Phase Bridge Rectifier
  • Tipo IGBT
    Trench Field Stop
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP3
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    250µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    80A
  • Configurazione
    Full Bridge Inverter

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