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APTM100DA18CT1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTM100DA18CT1G
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP1
  • Serie
    POWER MOS 8™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    216 mOhm @ 33A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    657W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    14800pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    570nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)

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