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3634316Immagine APTM100H45STG.Microsemi

APTM100H45STG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTM100H45STG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTM100H45STG.pdf
    2.APTM100H45STG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP4
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    540 mOhm @ 9A, 10V
  • Potenza - Max
    357W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP4
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4350pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    154nC @ 10V
  • Tipo FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V (1kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    18A

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