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APTM20HM20STG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTM20HM20STG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.APTM20HM20STG.pdf
    2.APTM20HM20STG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 2.5mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP4
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    24 mOhm @ 44.5A, 10V
  • Potenza - Max
    357W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP4
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6850pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    112nC @ 10V
  • Tipo FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 200V 89A 357W Chassis Mount SP4
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    89A

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