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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTMC120AM08CD3AG
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3273963Immagine APTMC120AM08CD3AG.Microsemi

APTMC120AM08CD3AG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTMC120AM08CD3AG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    APTMC120AM08CD3AG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.2V @ 10mA (Typ)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    10 mOhm @ 200A, 20V
  • Potenza - Max
    1100W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    D-3 Module
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    9500pF @ 1000V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    490nC @ 20V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Caratteristica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    250A (Tc)

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