APTMC60TLM55CT3AG

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Specifiche

Modello di prodotti

APTMC60TLM55CT3AG
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

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Descrizione

MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

APTMC60TLM55CT3AG.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 2mA (Typ)
Contenitore dispositivo fornitore

SP3
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

49 mOhm @ 40A, 20V
Potenza - Max

250W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

SP3
temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 20V
Tipo FET

4 N-Channel (Three Level Inverter)
Caratteristica FET

Silicon Carbide (SiC)
Tensione drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata

Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 48A (Tc) 250W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

48A (Tc)

Notizie correlate
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Y006280K0000B0L

Descrizione: RES 80K OHM 0.6W 0.1% RADIAL

Produttori: Vishay Precision Group

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RFQ

Review (1)

Stal***e

20/05/2025

5.0

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