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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTSM120AM55CT1AG
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APTSM120AM55CT1AG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    APTSM120AM55CT1AG
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER MODULE - SIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 2mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SP1
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    50 mOhm @ 40A, 20V
  • Potenza - Max
    470W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SP1
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5120pF @ 1000V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    272nC @ 20V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual), Schottky
  • Caratteristica FET
    Silicon Carbide (SiC)
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 74A (Tc) 470W Chassis Mount SP1
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    74A (Tc)

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