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3460025Immagine JAN1N4153-1.Microsemi

JAN1N4153-1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N4153-1
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N4153-1.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    880mV @ 20mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    75V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-35
  • Velocità
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/337
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    4ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Altri nomi
    1086-15208
    1086-15208-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 75V 150mA (DC) Through Hole DO-35
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    50nA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    150mA (DC)
  • Capacità a Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz

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Pagamento
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD

Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
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