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JAN1N5553US

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N5553US
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N5553US.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 9A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D-5B
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    2µs
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, B
  • Altri nomi
    1086-19416
    1086-19416-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 3A Surface Mount D-5B
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    -

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Pagamento
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5553

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5551

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5546CUR-1

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Descrizione: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N5552US

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JAN1N5610

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Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5551US

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5546D-1

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Descrizione: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5550

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5555

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Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5612

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Descrizione: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5614US

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N5554

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N5558

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Descrizione: TVS DIODE 175V 265V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N5554US

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N5546DUR-1

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Descrizione: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5611

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Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N5550US

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JAN1N5556

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Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N5614

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
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