Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JAN1N5615
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1034376

JAN1N5615

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
179+
$5.698
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N5615
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N5615.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    A, Axial
  • Altri nomi
    1086-2103
    1086-2103-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    150ns
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    JAN1N5615
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Configurazione diodo
    500nA @ 200V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.6V @ 3A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    200V
  • Capacità a Vr, F
    -65°C ~ 175°C

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "JAN1N5615".
JAN1N5612

JAN1N5612

Descrizione: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5556

JAN1N5556

Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Descrizione: TVS DIODE 175V 265V DO13

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5618

JAN1N5618

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5617

JAN1N5617

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.