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JAN1N6110US

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6110US
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N6110US.pdf
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    11.4V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    22.05V
  • Tensione - ripartizione (min)
    13.54V
  • Digitare
    Zener
  • Contenitore dispositivo fornitore
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    500W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, B
  • Altri nomi
    1086-2160
    1086-2160-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    22.61A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    1
  • applicazioni
    General Purpose

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE 15.2V 29.09V AXIAL

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