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JAN1N6625

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6625
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N6625.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1A
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    A, Axial
  • Altri nomi
    1086-19974
    1086-19974-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    30ns
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    JAN1N6625
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole
  • Configurazione diodo
    1µA @ 1000V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.75V @ 1A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    1000V (1kV)
  • Capacità a Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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Pagamento
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi Corporation
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

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Produttori: Microsemi Corporation
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