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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JAN2N7370
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JAN2N7370

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN2N7370
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 12A TO254
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN2N7370.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 120mA, 12A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-254AA
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/624
  • Potenza - Max
    100W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
  • Altri nomi
    1086-16223
    1086-16223-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 100W Through Hole TO-254AA
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 6A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    12A

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Produttori: Microsemi Corporation
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