Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JANTXV1N5807URS
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
2207360

JANTXV1N5807URS

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
100+
$28.225
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANTXV1N5807URS
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JANTXV1N5807URS.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    875mV @ 4A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    50V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    B, SQ-MELF
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    30ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, B
  • Altri nomi
    1086-19440
    1086-19440-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 50V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    3A
  • Capacità a Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "JANTXV1N5807URS".
JANTXV1N5802US

JANTXV1N5802US

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5804US

JANTXV1N5804US

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5804

JANTXV1N5804

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5806US

JANTXV1N5806US

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5811URS

JANTXV1N5811URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5802URS

JANTXV1N5802URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5804URS

JANTXV1N5804URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5809US

JANTXV1N5809US

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5807

JANTXV1N5807

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5819-1

JANTXV1N5819-1

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5819UR-1

JANTXV1N5819UR-1

Descrizione: SCHOTTKY

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5806URS

JANTXV1N5806URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5802

JANTXV1N5802

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5811US

JANTXV1N5811US

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5814

JANTXV1N5814

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5811

JANTXV1N5811

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5809URS

JANTXV1N5809URS

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JANTXV1N5806

JANTXV1N5806

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.