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JANTXV1N6625

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANTXV1N6625
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JANTXV1N6625.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.75V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    1100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    A-PAK
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    60ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    A, Axial
  • Altri nomi
    1086-3029
    1086-3029-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 1100V 1A Through Hole A-PAK
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1µA @ 1100V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    -

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Pagamento
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
In magazzino
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: DIODE GEN PURP 900V 1A D5A

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi Corporation
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

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