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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JANTXV2N6383
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JANTXV2N6383

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANTXV2N6383
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 40V 10A TO3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JANTXV2N6383.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    40V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 100mA, 10A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-204AA (TO-3)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/523
  • Potenza - Max
    6W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-204AA, TO-3
  • Altri nomi
    1086-21110
    1086-21110-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 10A 6W Through Hole TO-204AA (TO-3)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS PNP 100V 25A

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE

Produttori: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS PNP DARL 60V 8A TO66

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS NPN 300V 15A

Produttori: Microsemi
In magazzino
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