JANTXV2N7371

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Specifiche

Modello di prodotti

JANTXV2N7371
Costruttore / Marca

Microsemi
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

TRANS PNP DARL 100V 12A TO254
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

JANTXV2N7371.pdf
Modello ECAD
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)

100V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A
Tipo transistor

PNP - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore

TO-254AA
Serie

Military, MIL-PRF-19500/623
Potenza - Max

100W
imballaggio

Bulk
Contenitore / involucro

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Altri nomi

1086-16226
1086-16226-MIL
temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenza - transizione

-
Descrizione dettagliata

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 100W Through Hole TO-254AA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)

1mA
Corrente - collettore (Ic) (max)

12A

Notizie correlate
spedizione
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JANTXV2N7334

Descrizione: MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

Produttori: Microsemi Corporation

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