Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Protezione del circuito > Televisori-diodi > MAP6KE51CAE3
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1831727

MAP6KE51CAE3

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    MAP6KE51CAE3
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MAP6KE51CAE3.pdf
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    43.6V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    70.1V
  • Tensione - ripartizione (min)
    48.5V
  • Digitare
    Zener
  • Contenitore dispositivo fornitore
    T-18
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    600W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    T-18, Axial
  • Altri nomi
    1086-4580
    1086-4580-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    8.6A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    1
  • applicazioni
    General Purpose

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "MAP6KE51CAE3".
MAP6KE47AE3

MAP6KE47AE3

Descrizione: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE56A

MAP6KE56A

Descrizione: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE51A

MAP6KE51A

Descrizione: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE51CA

MAP6KE51CA

Descrizione: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE56CAE3

MAP6KE56CAE3

Descrizione: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE43CAE3

MAP6KE43CAE3

Descrizione: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE6.8CA

MAP6KE6.8CA

Descrizione: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE62A

MAP6KE62A

Descrizione: TVS DIODE 53V 85V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE56CA

MAP6KE56CA

Descrizione: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE47CA

MAP6KE47CA

Descrizione: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE43CA

MAP6KE43CA

Descrizione: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE47CAE3

MAP6KE47CAE3

Descrizione: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE43AE3

MAP6KE43AE3

Descrizione: TVS DIODE 36.8V 59.3V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE47A

MAP6KE47A

Descrizione: TVS DIODE 40.2V 64.8V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE6.8CAE3

MAP6KE6.8CAE3

Descrizione: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE56AE3

MAP6KE56AE3

Descrizione: TVS DIODE 47.8V 77V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE6.8AE3

MAP6KE6.8AE3

Descrizione: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE62AE3

MAP6KE62AE3

Descrizione: TVS DIODE 53V 85V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE6.8A

MAP6KE6.8A

Descrizione: TVS DIODE 5.8V 10.5V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
MAP6KE51AE3

MAP6KE51AE3

Descrizione: TVS DIODE 43.6V 70.1V T-18

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.