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2464116Immagine MASMLJ10CAE3.Microsemi

MASMLJ10CAE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MASMLJ10CAE3
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 10V 17V DO214AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MASMLJ10CAE3.pdf
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    10V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    17V
  • Tensione - ripartizione (min)
    11.1V
  • Digitare
    Zener
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AB
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    3000W (3kW)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-214AB, SMC
  • Altri nomi
    1086-6391
    1086-6391-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    176.4A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    1
  • applicazioni
    General Purpose

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Produttori: Microsemi
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MASMLJ110CA

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Descrizione: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Produttori: Microsemi
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RFQ
MASMLJ120A

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Descrizione: TVS DIODE 120V 193V DO214AB

Produttori: Microsemi
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MASMLJ110CAE3

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Descrizione: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

Produttori: Microsemi
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MASMLJ10A/TR

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Descrizione: HI REL TVS

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Descrizione: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

Produttori: Microsemi
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RFQ
MASMLJ10CAE3/TR

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Descrizione: HI REL TVS

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MASMLJ100AE3

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Descrizione: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

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MASMLJ100A

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Descrizione: TVS DIODE 100V 162V DO214AB

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MASMLJ11AE3

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Descrizione: TVS DIODE 11V 18.2V DO214AB

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Descrizione: TVS DIODE 10V 17V DO214AB

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Descrizione: TVS DIODE 110V 177V DO214AB

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MASMLJ10AE3/TR

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