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MDS1100

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MDS1100
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MDS1100.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    65V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    55TU-1
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    8750W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    55TU-1
  • temperatura di esercizio
    200°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    -
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    8.9dB
  • Frequenza - transizione
    1.03GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor NPN 65V 100A 1.03GHz 8750W Surface Mount 55TU-1
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 5A, 5V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100A

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