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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-JFET > MV2N5114
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MV2N5114

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MV2N5114
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    P CHANNEL JFET
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    MV2N5114.pdf
  • Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id
    10V @ 1nA
  • Tensione - Breakdown (V (BR) GSS)
    30V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-18 (TO-206AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500
  • Resistenza - RDS (on)
    75 Ohms
  • Potenza - Max
    500mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 15V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
  • Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0)
    90mA @ 18V

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