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588884Immagine SG2003J.Microsemi

SG2003J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SG2003J
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SG2003J.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.6V @ 500µA, 350mA
  • Tipo transistor
    7 NPN Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    16-CDIP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    16-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • Altri nomi
    1259-1080
    1259-1080-MIL
    1259-1080-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 350mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP

Produttori: Microsemi
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