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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > A2G22S251-01SR3
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Italia
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A2G22S251-01SR3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    A2G22S251-01SR3
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    A2G22S251-01SR3.pdf
  • Tensione - Prova
    48V
  • Tensione - nominale
    125V
  • Tipo transistor
    LDMOS
  • Contenitore dispositivo fornitore
    NI-400S-2S
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    52dBm
  • Contenitore / involucro
    NI-400S-2S
  • Altri nomi
    935313179528
  • Figura di rumore
    -
  • Guadagno
    17.7dB
  • Frequenza
    1.805GHz ~ 2.2GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet LDMOS 48V 200mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
  • Valutazione attuale
    -
  • Corrente - Test
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