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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > A2V09H525-04NR6
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Italia
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3797251

A2V09H525-04NR6

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    A2V09H525-04NR6
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    A2V09H525-04NR6.pdf
  • Tensione - Prova
    48V
  • Tensione - nominale
    105V
  • Tipo transistor
    LDMOS
  • Contenitore dispositivo fornitore
    OM-1230-4L
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    120W
  • Contenitore / involucro
    OM-1230-4L
  • Altri nomi
    935330045528
  • Figura di rumore
    -
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Guadagno
    18.9dB
  • Frequenza
    720MHz ~ 960MHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet LDMOS 48V 688mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L
  • Valutazione attuale
    10µA
  • Corrente - Test
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Pagamento
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