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285894Immagine BUK652R7-30C,127.NXP Semiconductors / Freescale

BUK652R7-30C,127

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUK652R7-30C,127
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.8V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.3 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    204W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    568-7494-5
    934064251127
    BUK652R7-30C,127-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6960pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    114nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 100A (Tc) 204W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

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