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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > MRF8P20140WGHSR3
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1630979Immagine MRF8P20140WGHSR3.NXP Semiconductors / Freescale

MRF8P20140WGHSR3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MRF8P20140WGHSR3
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MRF8P20140WGHSR3.pdf
  • Tensione - Prova
    28V
  • Tensione - nominale
    65V
  • Tipo transistor
    LDMOS (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    NI-780S-4
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    24W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    NI-780S-4
  • Altri nomi
    935311633128
  • Figura di rumore
    -
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    16dB
  • Frequenza
    1.88GHz ~ 1.91GHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 500mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4
  • Valutazione attuale
    -
  • Corrente - Test
    500mA
  • Numero di parte base
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