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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > MRFE6VP6600GNR3
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MRFE6VP6600GNR3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MRFE6VP6600GNR3
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS RF LDMOS 600W 50V
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MRFE6VP6600GNR3.pdf
    2.MRFE6VP6600GNR3.pdf
  • Tensione - Prova
    50V
  • Tensione - nominale
    133V
  • Tipo transistor
    LDMOS (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    OM-780G-4L
  • Serie
    -
  • Alimentazione - uscita
    600W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    OM-780G-4L
  • Altri nomi
    935323761528
  • Figura di rumore
    -
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Guadagno
    24.7dB
  • Frequenza
    230MHz
  • Descrizione dettagliata
    RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 100mA 230MHz 24.7dB 600W OM-780G-4L
  • Valutazione attuale
    -
  • Corrente - Test
    100mA

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Spedizione
Pagamento
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Produttori: NXP USA Inc.
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