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4863648Immagine PDTC123EEF,115.NXP Semiconductors / Freescale

PDTC123EEF,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PDTC123EEF,115
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PDTC123EEF,115.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SC-89
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    250mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SC-89, SOT-490
  • Altri nomi
    568-2151-1
    PDTC123EEF115
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-89
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 20mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA
  • Numero di parte base
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