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2264123Immagine PHD18NQ10T,118.NXP Semiconductors / Freescale

PHD18NQ10T,118

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PHD18NQ10T,118
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    PHD18NQ10T,118.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DPAK
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    79W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    934055700118
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    633pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 18A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount DPAK
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