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4362654Immagine PHX8NQ11T,127.NXP Semiconductors / Freescale

PHX8NQ11T,127

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PHX8NQ11T,127
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PHX8NQ11T,127.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220F
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    180 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    27.7W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Altri nomi
    934058496127
    PHX8NQ11T
    PHX8NQ11T-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    360pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    110V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 110V 7.5A (Tc) 27.7W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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